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北方华创立异推出高介电常数原子层堆积设备并获业界认可
文章来源:凯发ag旗舰店官网    时间:2024-04-11 21:20:31

  近期,北方华创002371)12英寸高介电常数原子层堆积设备Scaler HK430完成安稳量产,取得批量订单,市占率不断攀升,赢得客户信赖。这标志着北方华创CVD(化学气相堆积)先进工艺设备解决方案的成功使用,为华创进一步拓展高端设备赛道注入新的动力。

  为了打破晶体管尺度微缩的工艺瓶颈,业界选用新式High-K资料HfO2(氧化铪)作为栅介质层,结合金属栅极技能,研宣布HKMG(High-K/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。该工艺在45nm及以下节点占有中心位置,CVD/ALD(原子层堆积)工艺设备成为HKMG工艺的重要支撑。北方华创凭仗多年的原子层堆积技能堆集,立异推出12英寸高介电常数原子层堆积设备Scaler HK430,凭仗抢先的功能优势、产能优势,以及使用于国内12英寸干流Fab(半导体制作)厂的实践经验,成为国内HiK量产生产线的主力机台。

  未来,北方华创将矢志不渝地加速科学技能立异的实践脚步,不断推进CVD先进工艺设备的布局研制,为半导体职业的多元化技能需求供给更高效的解决方案,推进半导体配备制作技能的开展迈向新高度。

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